泰克功率器件IGBT測試方案簡介
IGBT簡介:
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,被國家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。
IGBT測試難點(diǎn):
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測量模塊協(xié)同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。
3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測試。
4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測試。
測試方案:
靜態(tài)測試設(shè)備:2600-PCT。可選200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。
測試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測試夾具
動(dòng)態(tài)測試設(shè)備:函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭
測試載:臺(tái)配套電源測試板
泰克優(yōu)勢:
1.全面的靜態(tài)動(dòng)態(tài)測試方案;
2.最高100A/3000V高壓高流高精度設(shè)備;四線法配置;可進(jìn)行脈沖測試;最小脈寬100US;從fF到uf電容測試能力;
3.高性能測試夾具支持多種封裝類型;
4.支持大多數(shù)探頭類型,包括KHV三同軸,AHV三同軸,標(biāo)準(zhǔn)三同軸等;可適配絕大部分高功率探針臺(tái);
5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。
測試項(xiàng)目舉例:
靜態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測試項(xiàng)目:
擊穿電壓;閾值電壓;開態(tài)電流;漏電流;正向跨導(dǎo);輸入電容;輸出電容;反向傳輸電容等;
動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測試項(xiàng)目:
開通時(shí)間;關(guān)斷時(shí)間;關(guān)斷延遲時(shí)間;下降時(shí)間,單脈沖開通能量;單脈沖關(guān)斷能量。
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